文献

J-GLOBAL ID：200902293780323395   整理番号：04A0788225

炭化けい素上のNi/Ti Schottky接触の熱アニールに基づく構造と電気特性

Structural and electrical properties of Ni/Ti Schottky contacts on silicon carbide upon thermal annealing

著者 (6件)： ROCCAFORTE F (IMM, CNR, Catania, ITA) ,  LA VIA F (IMM, CNR, Catania, ITA) ,  BAERI A (IMM, CNR, Catania, ITA) ,  RAINERI V (IMM, CNR, Catania, ITA) ,  CALCAGNO L (Universita di Catania, Catania, ITA) ,  MANGANO F (Universita di Catania, Catania, ITA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 96  号： 8  ページ： 4313-4318  発行年： 2004年10月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アニールに伴う標記Schottky接触の構造と電気特性の変化...

シソーラス用語： *Schottky障壁 ,...
準シソーラス用語： 界面構造

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0788225&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 炭化けい素 ,  Ni ,  Ti ,  Schottky接触 ,  熱アニール ,  電気特性