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J-GLOBAL ID：200902293783874155   整理番号：06A0753490

n-InGaN/GaN多重量子井戸の電解液中におけるPLバイアス依存性

著者 (8件)： 武田洋介 (電通大) ,  高木大吾 (電通大) ,  小林直樹 (電通大) ,  小林直樹 (21世紀COEプログラム“コヒーレント光化学の展開”) ,  佐野達司 (電通大) ,  山本淳 (日本イー・エム・シー) ,  伴雄三郎 (日本イー・エム・シー) ,  若尾清秀 (日本イー・エム・シー)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 67th  号： 3  ページ： 1351  発行年： 2006年08月29日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： *窒化ガリウムインジウム

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分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaN ,  GaN ,  多重量子井戸 ,  電解液 ,  PL ,  バイアス依存性