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J-GLOBAL ID:200902293915801918 整理番号:04A0131898
SiCパワーデバイス
SiC Power Devices
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{{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=04A0131898©=1") }}
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著者 (1件):
四戸孝
四戸孝 について
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(
東芝
)
東芝 について
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資料名:
東芝レビュー (Toshiba Review)
東芝レビュー について
JST資料番号 F0360A ですべてを検索
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巻:
59
号:
2
ページ:
49-53
発行年:
2004年02月01日
JST資料番号:
F0360A
ISSN:
0372-0462
CODEN:
TORBA
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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SIT【トランジスタ】
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分類 (1件):
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固体デバイス材料
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