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J-GLOBAL ID:200902294123754978   整理番号:09A0851164

バルクヘテロ接合有機太陽電池を目指したAg層の表面プラスモン共鳴を用いた低抵抗率および高透明ITO-Ag-ITO多層電極

Low resistance and highly transparent ITO-Ag-ITO multilayer electrode using surface plasmon resonance of Ag layer for bulk-heterojunction organic solar cells
著者 (2件):
資料名:
巻: 93  号: 10  ページ: 1801-1809  発行年: 2009年10月 
JST資料番号: D0513C  ISSN: 0927-0248  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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筆者らは,バルクヘテロ接合有機太陽電池(OSCs)用に,線形対向ターゲット式スパッタリング(LFTS)によって,ガラス基板上に成長させたITO-Ag-ITO(IAI)多層電極の電気的性質,光学的性質,構造特性,機械的性質,界面特性および表面特性について包括的に調べた。150nm厚の単一ITO電極は34Ω/四角という非常に高いシート抵抗を示したが,IAI多層電極は挿入Ag層の低い抵抗率により4.4Ω/四角という非常に低いシート抵抗を示した。基板加熱やポストアニーリングプロセスを用いずに室温LFTSを用いて,筆者らは結晶ITO電極のシート抵抗に匹敵する低いシート抵抗を有するIAI多層電極を得た。さらに,最適化したAg層の表面プラスモン共鳴(SPR)と反射防止はIAI多層の光透過率を著しく増大させた。AgモルフォロジーはSPR効果に大きな影響を及ぼすため,Ag層厚の最適化は透明IAI多層電極を得るために非常に重要であることが判明した。さらに,Ag厚16nmの最適化したIAI電極上に作製したOSCの電力変換効率(3.25%)は,有機活性層の吸光波長に対応する400-600nmでの低いシート抵抗と高い光透過率により,アモルファスITO電極上に作製した場合(2.35%)より高かった。このことは,LFTSに成長させたIAI多層電極が,非常に低い抵抗率と高い光透過率により,OSCsやフレキシブルOSCs用の有望な透明導電電極であることを示す。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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太陽電池  ,  固体デバイス製造技術一般 

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