文献

J-GLOBAL ID：200902294539168709   整理番号：05A0703603

デバイス性能に及ぼす極めて浅いソース/ドレイン延長部の影響

Impact of Aggressively Shallow Source/Drain Extensions on Device Performance

著者 (3件)： KIMOTO Kenji (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  TADA Tetsuya (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  KANAYAMA Toshihiko (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 44  号： 7A  ページ： 4843-4847  発行年： 2005年07月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ソース/ドレイン延長部(SDE)の深さX<sub>j</su...

シソーラス用語： *MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (8件)：

• 1) K. Kimoto and T. Kanayama: Mater. Sci. Eng. B 114–115 (2004) 367.
• 2) MEDICI, Synopsys, Inc., California, U.S.A.
• 3) International Technology Roadmap for Semiconductors 2002 Update (available online at http://www.public.itrs.net).
• 4) C. Lombardi, S. Manzini, A. Saporito and M. Vanzi: IEEE Trans. Comput.-Aid. Des. 7 (1988) 1164.
• 5) D. M. Caughey and R. E. Thomas: Proc. IEEE 55 (1967) 2192.

タイトルに関連する用語 (3件)： ソース ,  ドレイン ,  延長部