Cu/Hf-N/n<sup>+</sup>-p接合ダイオード中の銅拡散に対するさまざまな窒素濃度を有するHf-N膜の障壁能力

OU K-L; CHIOU S-Y; LIN M-H; HSU R-Q

文献

J-GLOBAL ID：200902294547362484 整理番号：05A0257922

Cu/Hf-N/n⁺-p接合ダイオード中の銅拡散に対するさまざまな窒素濃度を有するHf-N膜の障壁能力

Barrier Capability of Hf-N Films with Various Nitrogen Concentrations Against Copper Diffusion in Cu/Hf-N/n⁺-p Junction Diodes

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巻： 152 号： 2 ページ： G138-G143 発行年： 2005年
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

超LSIの相互配線材料として銅が使用されているが,銅には低接...

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固-固界面 , 塩 , 固体デバイス材料 , 固体中の拡散一般

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Cu/Hf-N/n+-p接合ダイオード中の銅拡散に対するさまざまな窒素濃度を有するHf-N膜の障壁能力

Cu/Hf-N/n⁺-p接合ダイオード中の銅拡散に対するさまざまな窒素濃度を有するHf-N膜の障壁能力