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J-GLOBAL ID：200902295199272596   整理番号：08A0875225

BiI₃の結晶構造と電子構造の理論研究

Theoretical study of crystal and electronic structures of BiI₃

著者 (2件)： YORIKAWA H (Utsunomiya Univ., Utsunomiya, JPN) ,  MURAMATSU S (Utsunomiya Univ., Utsunomiya, JPN)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 20  号： 32  ページ： 325220,1-7  発行年： 2008年08月13日 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BiI₃は層状半導体で,層構造の光学特性を示す。本研究ではBiI₃の結晶構造と電子バンド構造を空間群D_3d¹又はC_3i²に対する第一原理擬ポテンシャル計算により調べた。全エネルギー計算を通して最適構造を決定した。三方晶構造(C_3i²)は六方晶構造(D_3d¹)と比べて伝導バンドの底で平坦なバンドを形成した。Biの原子面上の空格子部位周囲のI原子の格子緩和は伝導バンド底で重要な役割をすることが分かった。三方晶系BiI₃は間接半導体であり,六方晶系BiI₃は直接バンドギャップであることを証明した。

シソーラス用語： *半導体 ,  *電子構造 ,  *バンド構造 ,  結晶構造 ,  空間群 ,  第一原理 ,  擬ポテンシャル法 ,  三方晶系 ,  六方晶系 ,  伝導バンド ,  空格子点 ,  バンドギャップ ,  *ビスマス化合物 ,  ヨウ化物

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 結晶構造 ,  電子構造 ,  理論 ,  研究