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J-GLOBAL ID:200902295238543446   整理番号:08A0457153

スパッタリングシミュレーションにおける分子動力学法とモンテカルロ法の比較

著者 (2件):
資料名:
巻: 51  号:ページ: 264-269  発行年: 2008年04月20日 
JST資料番号: G0194A  ISSN: 1882-2398  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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MDと二項衝突近似(BCA)シミュレーションによって低エネルギースパッタリングを調べた。Cuターゲットを5kevのArで衝撃した場合について予備的なMDシミュレーションを行い,有用性を確認した。低エネルギーのタングステン自己スパッタリングを例に,BCAコードとMDコードによるシミュレーションを行い,表面モデル依存性を調べた。MD計算では多結晶標的想定してランダム表面モデルを用いた。多体効果を考慮した場合,表面への付与エネルギーが増加し,表面すれすれ入射でスパッタ収量が増加した。また低エネルギースパッタリングでは,入射イオンが局所的に表面原子の集団を1つの塊として感じ取り,その局所表面法線がスパッタリングに影響するため,粗い表面においてランダムな局所表面法線方向の影響で入射角依存性が減少する。
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スパッタリング 
引用文献 (22件):
  • 1) W. Takeuchi and Y. Yamamura: Radiat. Eff., 71 (1983) 53.
  • 2) J. P. Biersack and W. Eckstein: Appl. Phys. A, 34 (1984) 73.
  • 3) W. Eckstein, C. Garcia-Rosales, J. Roth and W. Ottenberger: Max-Plank-Institute fur Plasmaphysik Report IPP9/82 (1993).
  • 4) Y. Yamamura: Nucl. Instr. Meth. B, 33 (1988) 493.
  • 5) L. Verlet: Phys. Rev., 159 (1967) 98.
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