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J-GLOBAL ID：200902295627324423   整理番号：08A0155281

高移動度で高オン/オフ比の有機半導体-カーボンナノチューブ束二層電界効果トランジスタ

Organic semiconductor-carbon nanotube bundle bilayer field effect transistors with enhanced mobilities and high on/off ratios

著者 (5件)： LIU Shuhong (Dep. of Chemical Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA) ,  MANNSFELD Stefan C. B. (Dep. of Chemical Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA) ,  LEMIEUX Melbs C. (Dep. of Chemical Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA) ,  LEE Hang W. (Dep. of Chemical Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA) ,  BAO Zhenan (Dep. of Chemical Engineering, Stanford Univ., Stanford, California 94305, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 5  ページ： 053306  発行年： 2008年02月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カーボンナノチューブ束の不規則配列上にペンタセン又はα-セキシチオフェンを含む有機電界効果トランジスタ(FET)を作製した。異なる幾何構造を持ち異なる表面処理をした素子性能に及ぼすナノチューブ束の影響を調べた。適量のナノチューブ束を取込んだ場合,高いオン/オフ比を保ちつつ「実効」電界効果移動度が20倍に増大した。初期結果では,ナノチューブ束は特定条件下で有機結晶成長のテンプレートとして働き,選択配向した有機核を形成する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *キャリア移動度 ,  結晶成長 ,  有機半導体 ,  *カーボンナノチューブ ,  *FET【トランジスタ】 ,  表面処理 ,  電場効果 ,  ポリアセン ,  電界効果移動度
準シソーラス用語： 電界効果トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (2件)： α-セキシチオフェン ,  ペンタセン

タイトルに関連する用語 (7件)： 高移動度 ,  高 ,  有機半導体 ,  カーボンナノチューブ ,  束 ,  二層 ,  電界効果トランジスタ