すずベースのIV族半導体:シリコン上の光およびマイクロエレクトロニクスのための新しいプラットフォーム

文献

J-GLOBAL ID：200902295669976382 整理番号：06A0675915

TIN-BASED GROUP IV SEMICONDUCTORS: New Platforms for Opto- and Microelectronics on Silicon

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資料名：
巻： 36 ページ： 497-554 発行年： 2006年
JST資料番号： D0856A ISSN： 1531-7331 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：文献レビュー発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

すずを含む新しい種類のIV族半導体の成長,電子物性及び光物性...

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半導体薄膜 , 光物性一般 , 半導体結晶の電子構造

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