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J-GLOBAL ID：200902296072946950   整理番号：09A0387243

整流するZnO:Ag/ZnO:Ga薄膜接合

Rectifying ZnO:Ag/ZnO:Ga Thin-Film Junctions

著者 (8件)： LUGO F. J. (Univ. Florida, Florida, USA) ,  KIM H. S. (Univ. Florida, Florida, USA) ,  PEARTON S. J. (Univ. Florida, Florida, USA) ,  ABERNATHY C. R. (Univ. Florida, Florida, USA) ,  GILA B. P. (Univ. Florida, Florida, USA) ,  NORTON D. P. (Univ. Florida, Florida, USA) ,  WANG Y. L. (Univ. Florida, Florida, USA) ,  REN F. (Univ. Florida, Florida, USA)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 12  号： 5  ページ： H188-H190  発行年： 2009年 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ag-ドープZnO薄膜を,パルスレーザ蒸着によって成長させ,Ag-ドープZnO/Ga-ドープZnO二層薄膜接合を調製した。Ag-ドープZnO/Ga-ドープZnO二層のI-V特性を調べ,比較的低温で蒸着したAg-ドープZnO膜はp-型であることが分かった。整流するI-V特性および発光がZnO:Ag/ZnO:Ga接合について実現した。光ルミネセンスを調べることによって,ミッドギャップ状態のため,可視発光がほとんど存在しない,または全く存在しない室温におけるバンド端近くの発光が明らかになった。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *銀化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  ドーピング ,  *薄膜 ,  *整流 ,  薄膜成長 ,  電流電圧特性 ,  温度依存性 ,  P型半導体 ,  光ルミネセンス ,  室温 ,  スペクトルバンド ,  *半導体接合 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： ミッドギャップ ,  二層

分類 (5件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  界面化学一般  (CB12010J) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 整流 ,  ZnO ,  Ag ,  Ga ,  薄膜