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J-GLOBAL ID：200902296144217762   整理番号：09A1196791

時代が求める「シリコンカーバイド」-プロセス編 溶液成長によるSiC単結晶の育成

著者 (1件)： 亀井一人 (住友金属工業)
資料名： 工業材料  (Engineering Materials)
巻： 57  号： 12  ページ： 28-31  発行年： 2009年12月01日 
JST資料番号： F0172A  ISSN： 0452-2834  CODEN： KZAIA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 溶液成長法は,既存の融液成長プロセスの量産技術が活用でき,安価で高品位な大口径SiC結晶製造への発展が見込める。多くの溶媒候補元素からTiを選び,Si-Ti-C系溶液を利用したSiC単結晶育成技術について述べた。1)TSSG(Top Seeded Solution Growth)法によるSiC単結晶育成,2)ACRT(加速坩堝回転法)による成長速度の増大,多形制御(3Cと呼ばれる立方晶相の晶出),3)4H-SiCのLPE成長(表面の平坦化に成功),4)長尺化と口径拡大。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *単結晶 ,  *溶液成長 ,  結晶化 ,  半導体素子 ,  チタン ,  融解塩 ,  晶析速度 ,  多形 ,  MOSFET ,  核形成 ,  転位【結晶】 ,  化合物半導体 ,  晶析装置 ,  LPE成長 ,  格子欠陥
準シソーラス用語： パワーデバイス

分類 (1件)： その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコンカーバイド ,  プロセス ,  溶液成長 ,  SiC ,  単結晶の育成