グラフェンとその複層における巨大真性キャリア移動度

MOROZOV S. V.; MOROZOV S. V.; NOVOSELOV K. S.; KATSNELSON M. I.; SCHEDIN F.; ELIAS D.C.; JASZCZAK J. A.; GEIM A. K.

文献

J-GLOBAL ID：200902296260810411 整理番号：08A0169195

グラフェンとその複層における巨大真性キャリア移動度

Giant Intrinsic Carrier Mobilities in Graphene and Its Bilayer

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資料名：
巻： 100 号： 1 ページ： 016602.1-016602.4 発行年： 2008年01月11日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

グラフェンとその複層では,電子-格子相互作用散乱が極めて弱い...

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半導体結晶の電気伝導

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