異方性エッチングによって形成したGaNのナノチップピラミッド

NG H M; WEIMANN N G; CHOWDHURY A

文献

J-GLOBAL ID：200902296405107013 整理番号：03A0509475

異方性エッチングによって形成したGaNのナノチップピラミッド

GaN nanotip pyramids formed by anisotropic etching

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資料名：
巻： 94 号： 1 ページ： 650-653 発行年： 2003年07月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

KOH溶液中でN極性GaNを選択・異方性エッチングしてナノチ...

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試料技術 , 半導体の表面構造

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