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J-GLOBAL ID：200902296427197520   整理番号：06A0828423

MFIS構造のバッファ層に対する誘導結合プラズマを用いた酸化マグネシウム薄膜のドライエッチング

Dry etching of magnesium oxide thin films by using inductively coupled plasma for buffer layer of MFIS structure

著者 (2件)： KIM G. H. (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR) ,  KIM C. I. (Chung-Ang Univ., Seoul, KOR)
資料名： Proceedings of International Symposium on Dry Process  (Proceedings of International Symposium on Dry Process)
巻： 5th  ページ： 293-294  発行年： 2005年 
JST資料番号： Y0378B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *酸化マグネシウム ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (6件)： MFIS構造 ,  バッファ層 ,  誘導結合プラズマ ,  酸化マグネシウム ,  薄膜 ,  ドライエッチング