高品質で大表面積のホモエピタキシャルなMPACVDダイヤモンドの成長

SILVA F.; ACHARD J.; BRINZA O.; BONNIN X.; HASSOUNI K.; ANTHONIS A.; DE CORTE K.; BARJON J.

文献

J-GLOBAL ID：200902296655165078 整理番号：09A0605422

高品質で大表面積のホモエピタキシャルなMPACVDダイヤモンドの成長

High quality, large surface area, homoepitaxial MPACVD diamond growth

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=09A0605422&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=09A0605422&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W0498A") }}

著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
巻： 18 号： 5-8 ページ： 683-697 発行年： 2009年05月
JST資料番号： W0498A ISSN： 0925-9635 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

エレクトロニクスにおける化学蒸着法ダイヤモンドの使用は非常に厳しい要件を有する。CVD法ダイヤモンド工業が実現可能となるには,非常に高い純度ときるだけ低い結晶欠陥密度,および大きい使用可能な表面積を全て維持しつつ,非常に大きい成長速度(>5μm/h)を得ることが必須である。同時に,亀裂生成を避け,結晶構造的完全性を保持するために,成長する結晶内の応力レベルを許容限界以下に保たねばならない。これらの必要課題は,プラズマ蒸着プロセスとCVD法ダイヤモンド結晶成長の両方を改良するために作用する。本紙では,3つに分かれた特別な手法を提案する:1)膜成長速度とダイヤモンド品質を最適化するために,プラズマ化学に対するプロセスパラメータ(特に蒸着圧力)の影響を証明する詳細なプラズマモデルを確立する;2)成長膜中の欠陥を最小化するために,慎重な基板前処理と選択(単一部分表面を選ぶのを含む)の必要性を強調する;3)特定の成長条件下での結晶形を予測するために3次元構造モデルを採用して,膜内の応力を最小に抑えつつ,使用可能な膜表面積を最大化する成長戦略を工夫するのにこの知識を利用する。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

, , , , , , , , , , , ,

炭素とその化合物 , その他の無機化合物の薄膜 , セラミック・陶磁器の製造

, , , ,

前のページに戻る