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J-GLOBAL ID：200902297031503498   整理番号：09A0242288

有機電界効果トランジスタの溶液ベース集積のための分子半導体の表面選択堆積

Surface selective deposition of molecular semiconductors for solution-based integration of organic field-effect transistors

著者 (6件)： MINARI Takeo (RIKEN, Wako, Saitama 351-0198, JPN) ,  KANO Masataka (Dai Nippon Printing Co., Ltd., Kashiwa, Chiba 277-0871, JPN) ,  MIYADERA Tetsuhiko (AIST, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN) ,  WANG Sui-dong (FUNSOM, Soochow Univ., Suzhou, Jiangsu 215123, People’s Republic of China) ,  AOYAGI Yoshinobu (RIKEN, Wako, Saitama 351-0198, JPN) ,  TSUKAGOSHI Kazuhito (AIST, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 94  号： 9  ページ： 093307  発行年： 2009年03月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フレキシブルプラスチック基板上の自己組織化有機電界効果トランジスタ(OFET)作製のボトムアップ製作技術を示した。OFETの溶液ベース自己組織化を,溶液可溶と不可溶領域の絶縁体表面パターン化によって得た。提案方法は,省エネルギー,設備の極小化,分子材料のオンデマンド使用を含む,印刷可能エレクトロニクスの数個の重要要件を満たしている。自己組織化OFETは,0.53cm²/(Vs)の平均移動度,10⁹のオン/オフ比,0.18V/decの閾値以下勾配を,ほぼゼロと狭い分布の閾値電圧で表す。これらの素子を用いて作製したインバータ回路を,高い信号利得で実証した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  溶液 ,  集積 ,  分子 ,  半導体 ,  表面 ,  *選択成長 ,  堆積 ,  フレキシブル基板 ,  プラスチック ,  自己組織化 ,  可溶性 ,  絶縁材料 ,  パターン形成 ,  印刷 ,  キャリア移動度 ,  比率 ,  勾配 ,  電圧 ,  インバータ ,  利得 ,  絶縁体 ,  溶解性 ,  省エネルギー技術 ,  節約
準シソーラス用語： 省エネルギー ,  *有機電界効果トランジスタ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 有機電界効果トランジスタ ,  溶液 ,  集積 ,  分子 ,  堆積