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J-GLOBAL ID：200902297234079705   整理番号：06A0373767

超臨界アンモニア中で合成した微結晶GaNの相選択

Phase selection of microcrystalline GaN synthesized in supercritical ammonia
著者 (13件)：
HASHIMOTO Tadao

HASHIMOTO Tadao について

(Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, CA 93106, USA)

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HASHIMOTO Tadao

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(ERATO/JST UCSB Group, Univ. of California, Santa Barbara, CA 93106, USA)

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FUJITO Kenji

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(ERATO/JST UCSB Group, Univ. of California, Santa Barbara, CA 93106, USA)

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SHARMA Rajat

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(Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, CA 93106, USA)

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SHARMA Rajat

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(ERATO/JST UCSB Group, Univ. of California, Santa Barbara, CA 93106, USA)

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LETTS Edward R.

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(Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, CA 93106, USA)

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LETTS Edward R.

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(ERATO/JST UCSB Group, Univ. of California, Santa Barbara, CA 93106, USA)

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FINI Paul T.

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(Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, CA 93106, USA)

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(ERATO/JST UCSB Group, Univ. of California, Santa Barbara, CA 93106, USA)

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SPECK James S.

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(ERATO/JST UCSB Group, Univ. of California, Santa Barbara, CA 93106, USA)

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NAKAMURA Shuji

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NAKAMURA Shuji

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(ERATO/JST UCSB Group, Univ. of California, Santa Barbara, CA 93106, USA)

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資料名：
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

Journal of Crystal Growth について


巻： 291  号： 1  ページ： 100-106  発行年： 2006年05月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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酸性,中性および基本鉱化剤をもつ超臨界アンモニア中で微結晶G...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*窒化ガリウム

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半導体の結晶成長 
(BK13040X)

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,  化合物の化学熱力学(純物質) 
(CB02023O)

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微結晶

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