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J-GLOBAL ID：200902297846357941   整理番号：03A0655389

高密度・高均一InAs量子ドットの積層成長

著者 (2件)： 海津利行 (電通大) ,  山口浩一 (電通大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 64th  号： 1  ページ： 268  発行年： 2003年08月30日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *量子ドット ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： InAs量子ドット ,  成長