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J-GLOBAL ID：200902297948003460   整理番号：06A0516154

酸化イットリウム-安定化酸化ジルコニウム上に成長した酸化インジウムの高電子移動度

High electron mobility of indium oxide grown on yttria-stabilized zirconia

著者 (2件)： KOIDA T. (Res. Center for Photovoltaics, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Central 2, Umezono ...) ,  KONDO M. (Res. Center for Photovoltaics, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Central 2, Umezono ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 99  号： 12  ページ： 123703-123703-6  発行年： 2006年06月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： In₂O₃層の熱...

シソーラス用語： *薄膜成長 ,...
準シソーラス用語： 圧力依存性

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸化イットリウム ,  安定化 ,  酸化ジルコニウム ,  成長 ,  酸化インジウム ,  電子移動度