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J-GLOBAL ID：200902297990027581   整理番号：04A0908303

Si基板上GaAs太陽電池用のエピタキシャルリフトオフプロセス

Epitaxial lift-off process for GaAs solar cell on Si substrate

著者 (3件)： TAGUCHI H (Lecip Corp., Gifu-ken, JPN) ,  SOGA T (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  JIMBO T (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 85  号： 1  ページ： 85-89  発行年： 2005年01月01日 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 変換効率を下げることなくGaAs太陽電池をGaAs基板からS...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si基板 ,  GaAs ,  太陽電池 ,  エピタキシャルリフトオフ ,  プロセス