文献

J-GLOBAL ID：200902298106846350   整理番号：05A0924998

SiCの照射損傷組織発達過程の数値解析

著者 (5件)： 渡辺淑之 (京大 大学院) ,  近藤創介 (京大 大学院) ,  森下和功 (京大 エネルギー理工学研) ,  柴山環樹 (北大 エネ先端研) ,  香山晃 (京大 エネルギー理工学研)
資料名： 日本金属学会講演概要  (Collected Abstracts of the Meeting of the Japan Institute Metals)
巻： 137th  ページ： 354  発行年： 2005年09月28日 
JST資料番号： S0988A  ISSN： 1342-5730  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *転位ループ ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0924998&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0988A") }}

分類 (2件)： その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V) ,  その他の無機化合物の格子欠陥  (BK12050B)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  照射損傷 ,  組織 ,  発達過程 ,  数値解析