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J-GLOBAL ID：200902298308359558   整理番号：03A0655381

MBE選択成長法を用いた高密度GaAsヘキサゴナル細線ネットワークの形成

著者 (4件)： 玉井功 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  吉田崇一 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  佐藤威友 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ) ,  長谷川英機 (北大 量子集積エレクトロニクス研セ)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 64th  号： 1  ページ： 265  発行年： 2003年08月30日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： MBE ,  選択成長 ,  高密度 ,  GaAs ,  細線 ,  ネットワークの形成