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J-GLOBAL ID：200902298352049574   整理番号：09A0154112

イオンビームに誘起される格子欠陥の粗視化解析

Coarse-Grained Analysis of Crystalline Defects Caused by Ion Beam Irradiation:PM (Pixel Mapping) Method

著者 (1件)： 中川幸子 (岡山理科大学 大学院理学研究科材質)
資料名： 電気学会論文誌 C  (IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems)
巻： 129  号： 2  ページ： 238-243 (J-STAGE)  発行年： 2009年 
JST資料番号： S0810A  ISSN： 0385-4221  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 著者らは先に提案したPM(画素マッピング)結晶解析法は,24種類の典型的な立方結晶の類型化と粗視化によって結晶の構造相転移を詳細に示す長距離秩序(LRO)変数を定義し,従来の解析手法の曖昧さを明確化した。PM法の使用により,欠陥のMiller指数や結晶方位を初めて解析でき,一覧表から相転移後の構造を自動的に判定できた。著者らは,イオンビーム照射によって結晶Siや3C-SiCに発生する欠陥を解析し,中間過程におけるLRO変化を観察し,照射に起因する特異的欠陥を同定した。今回,結晶崩壊の中間過程における原子配置にLROが作用し,特異的な複合欠陥の形成を強く促進する可能性を明らかにした。

シソーラス用語： *格子欠陥 ,  画素 ,  構造相転移 ,  結晶方位 ,  複合欠陥 ,  粗視化 ,  *イオンビーム分析
準シソーラス用語： *イオンビーム解析 ,  マッピング ,  長距離秩序 ,  類型化

分類 (1件)： 格子欠陥の観察・実験技術  (BK12020U)

引用文献 (25件)：

• (1) S. T. Nakagawa : “Pixel mapping analysis to characterize long-range order interactions during ion impacts”, Phys. Rev. B Vol. 66, 094103/1-7 (2002)
• (2) S. T. Nakagawa : “Crystallographic analysis of phase-changes in cubic crystals”, J. Phys. Soc. Japan Vol. 76, 034603/1-12 (2007)
• (3) S. T. Nakagawa : Ion beams in Nanoscience and Technology, Chapter 6, Springer-Verlag, Berlin, in press (2008)
• (4) R. Simonton and F. Sinclair : “Ion implantation applications in CMOS technology”, in Ion implantation Technology, Ed. by J. F. Ziegler, pp. 272-361, North-Holland, Amsterdam (1992)
• (5) S. T. Nakagawa : “The interaction between ion beam and matters”, J. Plasma & Fusion Res. Vol. 78, pp. 554-562 (2002) (in Japanese)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオンビーム ,  誘起 ,  格子欠陥 ,  粗視化 ,  解析