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J-GLOBAL ID：200902299045405254   整理番号：08A0574787

フレキシブル基板への単結晶InP薄層の集積

Integration of thin layers of single-crystalline InP with flexible substrates

著者 (6件)： CHEN Wayne (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, San Diego, La Jolla, California 92093, USA) ,  CHEN Peng (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, San Diego, La Jolla, California 92093, USA) ,  PULSIFER J. E. (Center for Energy Res., Univ. of California, San Diego, La Jolla, California 92093, USA) ,  ALFORD T. L. (School of Materials, Arizona State Univ., Tempe, Arizona 85287, USA) ,  KUECH T. F. (Dep. of Chemical and Biological Engineering, Univ. of Wisconsin, Madison, Madison, Wisconsin 53706, USA) ,  LAU S. S. (Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of California, San Diego, La Jolla, California 92093, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 21  ページ： 212109  発行年： 2008年05月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 切断,接着,レーザアブレーションを組合せてフレキシブル基板への薄い半導体層の移送を調べた。接着結合と約180°Cにおける水素誘起層剥離を用いて,厚み約1.3μmのInP層をサファイア上に移送した。得られた構造をポリエチレンナフタレートフレキシブル基板上に接着結合し,最初の接着を紫外レーザアブレーションして初期接着を分離した。工程にさらに移送段階を挿入して,熱アニールと電気的回復を可能にした。移送した膜の電気特性を調べ,高速フレキシブル電子技術への応用可能性を論じた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *リン化インジウム ,  *フレキシブル基板 ,  単結晶 ,  レーザアブレーション ,  接着 ,  ポリエチレンナフタレート ,  焼なまし ,  電気特性 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *半導体薄膜

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： フレキシブル基板 ,  単結晶 ,  InP ,  薄層 ,  集積