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J-GLOBAL ID：200902299180595578   整理番号：05A0712740

低温での電子線照射によるSi(001)-c(4×2)構造の変化

Structural Modification of Si(001)-c(4×2) Induced by Electron Beam at Low Temperatures

著者 (4件)： 白沢徹郎 (九大 大学院総合理工学府) ,  水野清義 (九大 大学院総合理工学府) ,  水野清義 (JST-PRESTO) ,  栃原浩 (九大 大学院総合理工学府)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 26  号： 8  ページ： 480-485  発行年： 2005年08月10日 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si(100)-c(4×2)表面を~40K以下で電子照射(E...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  物理化学一般その他  (CB01030T)

引用文献 (33件)：

• 1) J. Dabrowski and H.-J. Mussig: “Silicon Surfaces and Formation of Interfaces” (World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd., Singapore, 2000).
• 2) Y. Kondo, T. Amakusa, M. Iwatsuki and H. Tokumoto: Surf. Sci. 453, L 318 (2000).
• 3) T. Yokoyama and K. Takayanagi: Phys. Rev. B 61, R 5078 (2000).
• 4) K. Hata, S. Yoshida and H. Shigekawa: Phys. Rev. Lett. 89, 286104 (2002).
• 5) K. Hata, Y. Sainoo and H. Shigekawa: Phys. Rev. Lett. 86, 3084 (2001).

タイトルに関連する用語 (3件)： 低温 ,  電子線照射 ,  Si