文献

J-GLOBAL ID：200902299709188981   整理番号：09A0527624

高電圧放電法を用いるかご型オクタシルセスキオキサン(POSS)への水素原子の包接挙動

Encapsulation of atomic hydrogen into octasilsesquioxane (POSS) cage by electric discharge

著者 (6件)： 岡和行 (広島大 大学院) ,  丸岡平周 (広島大 大学院) ,  駒口健治 (広島大 大学院) ,  今榮一郎 (広島大 大学院) ,  大山陽介 (広島大 大学院) ,  播磨裕 (広島大 大学院)
資料名： 日本化学会講演予稿集  (日本化学会春季年会講演予稿集)
巻： 89th  号： 1  ページ： 107  発行年： 2009年03月13日 
JST資料番号： S0493A  ISSN： 0285-7626  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： かご型オクタシルセスキオキサン(R₈(SiO_1.5)₈)に減圧下で高電圧を印加し放電処理すると,POSS骨格内に水素原子が包接されることを見出した。Me₈(SiO_1.5)₈に包接された水素原子をESR測定した結果,10分間の放電処理による包接量は1.5x10^-5mol%であることがわかった。この包接量は,ガンマ線照射法で通常,数時間を要する35kGyを照射したときの包接量に相当する。放電条件,雰囲気,置換基(R)の水素原子包接量に及ぼす影響について検討した。(著者抄録)

シソーラス用語： *オリゴマ ,  *ポリシルセスキオキサン ,  *高電圧 ,  *放電反応 ,  *水素 ,  *包接化合物 ,  ESR【磁気共鳴】 ,  γ線照射 ,  収率
準シソーラス用語： *POSS

分類 (3件)： 分子化合物の結晶構造  (BK09050T) ,  分子化合物  (CE02000C) ,  反応操作(単位反応)  (XE01040I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高電圧 ,  放電 ,  かご ,  POSS ,  水素原子 ,  挙動