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J-GLOBAL ID：200902299710146010   整理番号：08A1259983

酸化ハフニウムベース不揮発性メモリの再現できる抵抗スイッチング挙動

Reproducible resistance switching characteristics of hafnium oxide-based nonvolatile memory devices

著者 (2件)： KIM Yong-mu (School of Advanced Materials Engineering, Kookmin Univ., Seoul 136-702, KOR) ,  LEE Jang-sik (School of Advanced Materials Engineering, Kookmin Univ., Seoul 136-702, KOR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 104  号： 11  ページ： 114115  発行年： 2008年12月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反応性スパッタリングにより堆積したHfO₂薄膜の抵抗スイッチング特性をアニーリング温度の関数として調べた。その結果,Pt/HfO₂/Otデバイスは可逆的で安定な双安定抵抗状態[高抵抗状態(HRS)及び低抵抗状態(LRS)]を示した。適切な電圧バイアスの印加により一状態から他の状態又はその逆の再現できる抵抗スイッチングが得られた。X線回折により確認した際にメモリ性能はHfO₂膜の結晶構造と関係があった。デバイスの電流-印加電圧の解析から,LRS領域の低電場ではオーミック伝導挙動を示し,高電場のHRSではPoole-Frenkel伝導挙動に従った。耐久試験で二状態の抵抗比は約二桁の範囲に維持されていた。さらに,オン及びオフ状態の抵抗は経過時間に従って十分維持できることを確認した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 絶縁材料 ,  *酸化ハフニウム ,  スパッタ蒸着 ,  *誘電体薄膜 ,  *MIM構造 ,  *スイッチング ,  *不揮発性メモリ ,  双安定性 ,  電流電圧特性 ,  電気伝導 ,  Ohm接触 ,  Poole-Frenkel効果 ,  記憶把持 ,  焼なまし ,  温度依存性 ,  膜厚 ,  絶縁体
準シソーラス用語： アニール ,  *抵抗スイッチング

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化ハフニウム ,  不揮発性メモリ ,  抵抗スイッチング ,  挙動