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J-GLOBAL ID：200902299774707104   整理番号：03A0655622

4H-SiC(000-1)面上の高速,高純度エピタキシャル成長

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著者 (3件)：
旦野克典

旦野克典 について

(京大)

京大 について

, 
木本恒暢

木本恒暢 について

(京大)

京大 について

, 
松波弘之

松波弘之 について

(京大)

京大 について


資料名：
応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)

応用物理学会学術講演会講演予稿集 について


巻： 64th  号： 1  ページ： 345  発行年： 2003年08月30日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*炭化ケイ素

炭化ケイ素 について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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マイクロパイプ

マイクロパイプ について


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分類 (1件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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4H-SiC

4H-SiC について

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高純度

高純度 について

, 
エピタキシャル成長

エピタキシャル成長 について


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