半導体装置およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-097967
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284458
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】ヒューズを備えた半導体装置に関して、製造工程数を少なくし、必要なマスク材料を低減できる、半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】上部絶縁層である酸化膜21cに対して、引上配線22cのための開口部を形成する際に、ヒューズ領域26も含めて酸化膜21cを除去する。さらに、酸化膜21cの上下の配線層23b,23c同士を電気的に接続するための引上配線22cと酸化膜21cの上側に位置すべき配線層23cとを同時に一体の上部導電層25として形成している。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主表面に分離絶縁膜を形成する分離絶縁膜形成工程と、前記分離絶縁膜の上面に接するようにヒューズを形成するヒューズ形成工程と、前記半導体基板上に下部絶縁層を形成し、該下部絶縁層の上面に接する下部配線層を選択的に形成する工程と、前記下部絶縁層および前記下部配線層のそれぞれの上面に接するように、上部絶縁層を形成する工程と、前記上部絶縁層の下面に接する前記配線層および上面に接するべき他の配線層を電気的に接続するための引上配線を上方から見た平面的な領域である最上引上配線領域およびその内側に位置する前記上部絶縁層を除去する上部絶縁層除去工程と、前記ヒューズおよびその近傍を含む平面的な領域であるヒューズ領域の外側において、前記下部絶縁層,前記下部配線層および前記上部絶縁層のそれぞれの露出した上面に接するように上部導電層を選択的に形成する上部導電層形成工程とを含む、半導体装置の製造方法。

FI (2件)：

H01L 21/82 F , H01L 21/82 R

Fターム (8件)：

5F064EE23 , 5F064EE26 , 5F064EE27 , 5F064EE56 , 5F064FF02 , 5F064FF27 , 5F064FF42 , 5F064GG03

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