特許

J-GLOBAL ID：200903000008524810

半導体装置及びその製造方法

発明者： 五十嵐 一雅 ,  長沢 徳 ,  谷川 聡 ,  薄井 英之 ,  吉尾 信彦 ,  伊藤 久貴
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 松月 美勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-100393
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236586
出願日： 1995年04月01日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】チップスケ-ルパッケ-ジタイプであって、しかも、半導体チップの電極配置に拘束されること無く被実装回路基板の導体端にはんだ付けされる外部電極の配置をチップスケ-ルの範囲内で自由に設定できる低コストの半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】半導体チップ1と補助配線板片2との間が樹脂3で封止されて成る半導体装置であり、上記補助配線板片2は引き回し導体23の両面に絶縁層24,25を有し、半導体チップ1側の絶縁層24には、引き回し導体23から半導体チップ1の電極11に臨む孔213が設けられ、この孔213に充填された金属212とこの孔213から突出して形成された金属バンプ211により上記内側電極21が構成されている。TAB法により製造できる。

請求項（抜粋）：

半導体チップの電極に接続される内側電極と被実装回路基板の導体端に接続される外側電極とこれら電極間に跨る引き回し導体を有する補助配線板片の内側電極に半導体チップの電極が接続され、半導体チップと補助配線板片との間が樹脂で封止されて成る半導体装置であり、上記補助配線板片は引き回し導体の両面に絶縁層を有し、これらの両絶縁層のうち半導体チップ側の絶縁層には、引き回し導体から半導体チップの電極に臨む孔が設けられ、この孔に充填された金属とこの孔から突出して形成された金属バンプにより上記内側電極が構成され、上記外側電極は、他の絶縁層に孔が設けられ、この孔に充填された金属により構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12

FI (4件)：

H01L 21/60 311 W ,  H01L 23/12 Q ,  H01L 23/12 L ,  H01L 23/12 K