特許

J-GLOBAL ID：200903000010262521

半導体装置の製造方法

発明者： 菅谷 弘幸
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-093772
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284588
出願日： 1997年04月11日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】 従来のトレンチ埋め込み技術においては、トレンチ内に多結晶シリコンを形成した後その表面の平坦性を得るためエッチングによる平坦化工程が必要であった。【解決手段】 トレンチ内に多結晶シリコンを埋め込む半導体装置の製造方法において、トレンチの内壁を窒化する工程と、窒化されたトレンチ内壁に選択的に多結晶シリコンを成長する工程とを含み、基板表面を平坦化する工程をエッチングにはよらず水素アニール工程により行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面にシリコン窒化膜を形成する工程と、前記窒化膜表面にシリコン酸化膜を形成する工程と、所定のトレンチ形成部の前記酸化膜および窒化膜を除去する工程と、前記基板にトレンチを形成する工程と、前記トレンチの内壁を窒化する工程と、前記窒化されたトレンチ内壁に選択的に多結晶シリコンを成長する工程とを特徴とする半導体装置の製造方法。