特許
J-GLOBAL ID：200903000010662520
高耐圧MOSトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-236050
公開番号（公開出願番号）：特開平10-084111
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：
【要約】【課題】 高耐圧特性を維持しながら、オン抵抗を下げて動作速度を向上できる高耐圧MOSトランジスタを実現する。【解決手段】 N型ウエル2の表面に形成されLOCOS酸化膜5で覆われたP型拡散層3をチャネル長方向断面において複数に分割し、その分割したP型拡散層3の間に、N型ウエル2より不純物濃度の高いN型拡散層4を、P型拡散層3と同じ深さかそれよりも浅く形成している。複数個のP型拡散層3から延びた空乏層は互いに影響して耐圧としては低下することなく、高耐圧特性を維持できる。また、トランジスタがオンしたとき、P型拡散層3の間にN型拡散層4を配置したことによりチャネル抵抗が低減し、トランジスタの動作速度を向上することができる。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板の表面に第2導電型ソース領域と第2導電型ウエルを設け、前記第2導電型ウエルの表面に第1導電型拡散層と第2導電型ドレイン領域を設け、前記第1導電型拡散層上をLOCOS酸化膜で覆い、前記第2導電型ソース領域の端部上から前記LOCOS酸化膜上にかけてゲート酸化膜を介してゲート電極を設けた高耐圧MOSトランジスタであって、前記第1導電型拡散層をチャネル長方向断面において複数に分割し、この分割した前記第1導電型拡散層の間に第2導電型拡散層を設けたことを特徴とする高耐圧MOSトランジスタ。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 W
, H01L 29/78 301 S
