特許
J-GLOBAL ID：200903000011104156
静電容量型センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-139482
公開番号（公開出願番号）：特開平6-323941
出願日： 1993年05月17日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 信頼性の高い小型の圧力センサを提供する。【構成】 単結晶シリコンウエハよりダイヤフラム4を弾性的に支持させたフレーム3を異方性エッチングにより作製し、ダイヤフラム4に可動電極5を形成する。別な単結晶シリコンウエハよりカバー2を作製し、可動電極5に対向するように固定電極7を形成する。カバー2の下面全体にはCVD法によりSiO2の酸化膜6を形成し、固定電極7が形成された領域に重なるように、酸化膜6の内側に、可動電極5と固定電極7とで構成されるコンデンサの静電容量Cの変化を検出するための検出回路9を半導体製造プロセスにより形成する。このようにして作製されたフレーム3とカバー2とを低温接合技術を用いて接合して圧力センサ1を作製する。
請求項（抜粋）：
弾性を有する検知部を半導体支持基板に設け、当該支持基板のいずれか一方の面に半導体固定基板を接合し、前記検知部に設けた可動電極と対向させて前記固定基板の内面に固定電極を設け、前記可動電極及び前記固定電極によりコンデンサを構成した静電容量型センサにおいて、前記コンデンサの静電容量の変化を検出する検出回路を前記固定基板に設けたことを特徴とする静電容量型センサ。
IPC (2件)：
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