特許
J-GLOBAL ID:200903000012234924
薄膜形成方法及びその装置
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (9件):
岡部 正夫
, 加藤 伸晃
, 産形 和央
, 岡部 讓
, 臼井 伸一
, 越智 隆夫
, 本宮 照久
, 朝日 伸光
, 三山 勝巳
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-098032
公開番号(公開出願番号):特開2006-274396
出願日: 2005年03月30日
公開日(公表日): 2006年10月12日
要約:
【課題】複数の異なる構造および膜組成をもつタンデム積層型有機薄膜機能素子を同一真空槽内で効率的に簡便に形成することが可能な有機薄膜形成装置を実現する。【解決手段】薄膜形成装置において、真空槽、真空槽内部に形成され各々独立の成膜雰囲気を維持可能な複数の小成膜室、各小成膜室に配置される少なくとも1つの蒸着源、蒸着源に対面する所定の成膜位置に基板を配置させる基板保持手段、および、基板保持手段を駆動する移送機構を備え、移送機構を用いて任意の小成膜室内に任意の基板を配置させ、各小成膜室において基板それぞれが独立してかつ所望の時間に成膜される構成とした。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
真空槽、該真空槽内部に形成され各々独立の成膜雰囲気を維持可能な複数の小成膜室、各小成膜室に配置される少なくとも1つの蒸着源、該蒸着源に対面する所定の成膜位置に該基板を配置させる基板保持手段、および、該基板保持手段を駆動する移送機構を備え、該移送機構を用いて任意の小成膜室内に任意の基板を配置させ、各小成膜室において該基板それぞれが独立してかつ所望の時間に成膜されることを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (3件):
C23C 14/24
, H05B 33/10
, H01L 51/50
FI (4件):
C23C14/24 J
, C23C14/24 C
, H05B33/10
, H05B33/14 A
Fターム (8件):
3K007AB18
, 3K007DB03
, 3K007FA01
, 4K029CA01
, 4K029DA10
, 4K029DA12
, 4K029KA01
, 4K029KA09
引用特許:
出願人引用 (1件)
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製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-140481
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
審査官引用 (14件)
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薄膜形成装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-118305
出願人:松下電器産業株式会社
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薄膜形成装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-135363
出願人:ソニー株式会社
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多層膜の形成装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-289881
出願人:日本真空技術株式会社
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