特許
J-GLOBAL ID：200903000018199900
磁気式位置・回転検出素子
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-179020
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038173
出願日： 1993年07月20日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】 金属人工格子膜の特性を生かした構成により、室温・微小動作磁界で大きな磁気抵抗効果を示す磁気式位置・回転検出素子を得る。【構成】 感磁材料に厚さ5〜100Åの第1の磁性薄膜層1aと厚さ5〜100Åの金属非磁性薄膜層2と厚さ5〜100Åの第2の磁性薄膜層1bと厚さ10〜100Åの反強磁性層3を順次積層した構造を一つの構成要素として、この構成要素間の磁気的結合を弱めるべく設けられた金属非磁性層4を介してこれら構成単位を複数回積層して成る人工格子膜を用い、パターンを形成して被検出素子の着磁ピッチに対してλ/4またはλ/2に配置し、バイアス磁界を設けて動作磁界を調整する。
請求項（抜粋）：
被検出体にN極とS極を等間隔に着磁した硬磁性体を用い、前記被検出体に対し、N極の中心から隣のN極の中心までの距離をλとした場合、(n+1/4)λ(nは整数)に感磁パターンエレメントを配置し、感磁材料に厚さ5〜100Åの第1の磁性薄膜層と厚さ5〜100Åの金属非磁性薄膜層と厚さ5〜100Åの第2の磁性薄膜層と厚さ10〜100Åの反強磁性層とを順次積層した構造を一つの構成要素として、この構成要素間の磁気的結合を弱めるべく設けられた金属非磁性層を介して複数個積層して成る人工格子膜を用いたことを特徴とする磁気式位置・回転検出素子。
IPC (5件)：
H01L 43/08
, C23C 14/06
, G01D 5/245
, G11B 5/39
, H01F 10/08
