特許
J-GLOBAL ID：200903000018834745
半導体レーザ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-070657
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330678
出願日： 1996年03月26日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【課題】 高次モードの発生を抑制し得、活性層への電流の注入密度が改善され、且つアップサイド-ダウンのマウントが容易でしかも放熱性に優れたInGaAlN系半導体レーザを提供すること。【解決手段】 導電性の基板と、その一面側に設けられた一方の電極と、該基板の他面側に設けられたダブルヘテロ構造を有するストライプ状の発光部と、該発光部の上に設けられた他方の電極とからなり、且つ該発光部は基板側から順次1番目のクラッド層と、Inx Gay Al1-x-y N(ここに、0≦x≦1、0≦y≦1)の一般式を有する化合物半導体からなる活性層と、2番目のクラッド層とからなり、該ストライプ状の発光部は高電気抵抗を有する固体埋め込み材にて埋め込まれている。本発明の好ましい態様においては、該固体埋め込み材としては、レーザ発振波長での活性層の実効屈折率na より5×10-1〜5×10-4低い実効屈折率nb を有するものが用いられる。
請求項（抜粋）：
導電性の基板と、その一面側に設けられた一方の電極と、該基板の他面側に設けられたダブルヘテロ構造を有するストライプ状の発光部と、該発光部の上に設けられた他方の電極とからなり、且つ該発光部は基板側から順次1番目のクラッド層と、Inx Gay Al1-x-y N(ここに、0≦x≦1、0≦y≦1)の一般式を有する化合物半導体からなる活性層と、2番目のクラッド層とからなり、該ストライプ状の発光部は高電気抵抗を有する固体埋め込み材にて埋め込まれている半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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