特許
J-GLOBAL ID：200903000020350186
多重量子井戸分布帰還型半導体レ-ザ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮越 典明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-230726
公開番号（公開出願番号）：特開平7-235734
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：
【要約】【目的】 多重量子井戸分布帰還型半導体レ-ザに関し、少なくとも2つ以上の利得ピ-ク(図6の“第1の利得ピ-ク32”“第2の利得ピ-ク33”参照)を有する多重量子井戸活性層を用い、広い温度範囲にわたりブラッグ波長近傍に少なくとも1つの利得ピ-クを備えることで、ディチュ-ニング量が増大することを回避し、温度特性の向上や広い温度範囲での伝送を可能にすること。【構成】 導波路層に回折格子を有し、活性層が多重量子井戸からなる多重量子井戸分布帰還型半導体レ-ザにおいて、前記多重量子井戸が少なくとも2つ以上の異なる利得ピ-クを有し、かつ、前記量子井戸層のうち最も長波長の利得ピ-クと回折格子の格子周期と導波路層実効屈折率差で決定されるブラッグ波長との差が-40°Cの動作温度で±5nm以内にあり、更に、前記量子井戸層のうち最も短波長の利得ピ-クと前記ブラッグ波長との差が85°Cの動作温度で±5nm以内にあることを特徴とする多重量子井戸分布帰還型半導体レ-ザ。
請求項（抜粋）：
導波路層に回折格子を有し、活性層が多重量子井戸からなる多重量子井戸分布帰還型半導体レ-ザにおいて、前記多重量子井戸が少なくとも2つ以上の異なる利得ピ-クを有し、かつ、前記量子井戸層のうち最も長波長の利得ピ-クと回折格子の格子周期と導波路層実効屈折率で決定されるブラッグ波長との差が-40°Cの動作温度で±5nm以内にあり、更に、前記量子井戸層のうち最も短波長の利得ピ-クと前記ブラッグ波長との差が85°Cの動作温度で±5nm以内にあることを特徴とする多重量子井戸分布帰還型半導体レ-ザ。
IPC (2件)：
引用特許：
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