特許

J-GLOBAL ID：200903000023139362

金属/セラミック基板における金属・セラミック間の界面領域およびその形成方法

発明者： シェリー・シャオ-ルー・ウェン ,  カール・ステフィン・ウッド
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-239119
公開番号（公開出願番号）：特開平5-213679
出願日： 1992年09月08日
公開日（公表日）： 1993年08月24日
要約：

【要約】【目的】 導電領域とセラミック領域との間に、導電領域とセラミック領域の熱膨張率の中間である熱膨張率を有する界面領域が存在する構造およびその製造方法を開示する。【構成】 界面領域は好適には、金属粒子とセラミック物質の混合体である。界面領域は、セラミック物質内の金属体の周囲の金属体から除去された金属粒子を生じる酸化および還元雰囲気中で交互に焼結することにより形成される。この界面領域はセラミック領域から導電領域密着の分離を回避し、その間のボイドの形成を回避する。

請求項（抜粋）：

導電物質体に対置され、前記導電物質体との間に界面領域を有するセラミック物質体を含む構造であって、前記界面領域は、前記導電物質の粒子と前記セラミック物質の粒子の混合体であり、前記セラミック物質は、前記粒子をほとんど有さず、前記界面領域は、前記セラミック物質体の熱膨張率と前記導電物質体の熱膨張率との中間の熱膨張率を有する、ことを特徴とする構造。

IPC (4件)：

C04B 37/02 ,  B32B 15/04 ,  H05K 1/03 ,  H05K 3/46

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭62-077186
  
• 特開平2-025094
  
• 特開昭59-124149