特許

J-GLOBAL ID：200903000025298956

薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者： 中谷 喜紀 ,  青森 繁 ,  田中 淳
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-041188
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242467
出願日： 1997年02月25日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】 安価で破損の少ない樹脂基板上に形成可能な多結晶シリコンゲルマニウム薄膜を半導体層に用いたTFTの特性を向上させ、安価で大型なライン状光センサーや液晶表示装置を実現する。【解決手段】 基板上に、ゲート電極、絶縁膜、チャンネルとなる半導体層、及びソース/ドレインを有する薄膜トランジスタであって、前記半導体層とソース/ドレインとの間に、前記半導体層よりも電気的な抵抗が大きい部分を有する薄膜トランジスタ。

請求項（抜粋）：

基板上に、ゲート電極、絶縁膜、チャンネルとなる半導体層、及びソース/ドレインを有する薄膜トランジスタであって、前記半導体層とソース/ドレインとの間に、前記半導体層よりも電気的な抵抗が大きい部分を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

FI (4件)：

H01L 29/78 617 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 618 Z ,  H01L 29/78 627 G