特許
J-GLOBAL ID：200903000027683881
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-062648
公開番号（公開出願番号）：特開平5-263236
出願日： 1992年03月18日
公開日（公表日）： 1993年10月12日
要約：
【要約】【目的】 マグネトロンスパッタに関し,基板内での膜質(比抵抗,組成比,不純物濃度等)のバラツキを抑えることを目的とする。【構成】 1)マグネトロンスパッタにおいて磁界の変化により時間とともにターゲットのエロージョン領域の大きさを変化させ,エロージョン領域の大きさの変化に対応し,エロージョン領域が大きいときは反応ガスの流量を大きくし,エロージョン領域が小さいときは反応ガスの流量を小さく制御する,2)エロージョン領域の大きさの変化に対応し,エロージョン領域が大きいときは不活性ガスの流量を小さくし,エロージョン領域が小さいときは不活性ガスの流量を大きく制御する,3)エロージョン領域の大きさの変化に対応し,エロージョン領域が大きいときはスパッタ電力をを大きくし,エロージョン領域が小さいときはスパッタ電力を小さく制御するように構成する。
請求項（抜粋）：
マグネトロンスパッタにおいて磁界の変化により時間とともにターゲットのエロージョン領域の大きさを変化させ,エロージョン領域の大きさの変化に対応し,エロージョン領域が大きいときは反応ガスの流量を大きくし,エロージョン領域が小さいときは反応ガスの流量を小さく制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
C23C 14/35
, C23C 14/54
, H01L 21/203
, H01L 21/285
