半導体素子特性予測装置及び特性解析装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-179493
公開番号（公開出願番号）：特開2002-373982
出願日： 2001年06月14日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：

【要約】【課題】ゲート絶縁膜の薄膜化に伴い、量子効果による容量の低下を評価する事が求められている。CV特性の解析に量子効果を取り入れるためには、シュレディンガー方程式とポアッソン方程式に量子統計を考慮して自己無撞着に解かなければならないが、蓄積側の評価法が定まっていない。本発明によって、蓄積状態のCV特性を簡便かつ定量的に評価し、測定値から素子パラメータを抽出する。【解決手段】蓄積状態のポテンシャル形状を指数関数で近似し、シュレディンガー方程式の解を量子統計に矛盾することなく厳密かつ解析的に求めることで、CV特性を定量的に計算する。計算結果と測定値を比較することで、電気的な該ゲート絶縁膜の膜厚や基板濃度及びフラット・バンド電圧といった素子パラメータを抽出する。【効果】本発明による電気特性評価装置を用いれば、従来法に基づく数値的解法では1日から2日かかった計算を数分の内に終わらせることができる。また、CV特性の測定値から電気的な該ゲート絶縁膜の膜厚を0.05[nm]以下の精度で求めることができる。

請求項（抜粋）：

電界効果トランジスタあるいはMOSキャパシタの基板界面に垂直方向のポテンシャルの形状を指数関数で近似し、Si基板中の電子または正孔の波動関数をベッセル関数で表わし容量電圧特性(CV特性と略)を計算する事を特徴とする電気特性予測装置、電気特性予測方法、及び電気特性予測プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。

IPC (6件)：

H01L 29/00 , H01L 21/66 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 29/78 , G06F 17/50 666

FI (5件)：

H01L 29/00 , H01L 21/66 Z , G06F 17/50 666 S , H01L 29/78 301 T , H01L 27/04 C

Fターム (19件)：

4M106AA13 , 4M106AB01 , 4M106AB20 , 4M106BA14 , 4M106CA12 , 4M106DJ20 , 4M106DJ21 , 4M106DJ23 , 5B046AA08 , 5B046JA07 , 5F038AC05 , 5F038AC20 , 5F038EZ10 , 5F038EZ20 , 5F140AA37 , 5F140BF04 , 5F140DB01 , 5F140DB06 , 5F140DB10

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