光半導体素子

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-159008
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354829
出願日： 1998年06月08日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】温度測定が正確で応答性が良く、小型化及び組立工数削減が可能な光半導体素子を実現する。【解決手段】光半導体素子において、光素子と、この光素子を固定するSi基板と、Si基板であって光素子が固定される位置の下に設けられた温度センサとを備え、光素子の温度を温度センサによりモニタする。

請求項（抜粋）：

光半導体素子において、光素子と、この光素子を固定するSi基板と、前記Si基板であって前記光素子が固定される位置の下に設けられた温度センサとを備え、前記光素子の温度を前記温度センサによりモニタすることを特徴とする光半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 31/10 , H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 31/10 A , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (6件)

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