特許

J-GLOBAL ID：200903000033217949

部分保護ポリヒドロキシスチレンの製造法

発明者： 横山 健一 ,  前田 幸勇 ,  小林 英一
出願人/特許権者： ジェイエスアール株式会社
代理人 (1件)： 大島 正孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-138045
公開番号（公開出願番号）：特開2001-316418
出願日： 2000年05月11日
公開日（公表日）： 2001年11月13日
要約：

【要約】【課題】 ヒドロキシル基の一部が3級アルキル基または3級アルキル基とアセタール基で保護された部分保護ポリヒドロキシスチレンの製造法を提供すること。【解決手段】 3級アルコキシ基を置換基として持つスチレンに由来する繰返し単位からなるポリマーを脱保護反応に付し、上記置換基の80〜95モル%をヒドロキシル基に変換した部分保護ポリヒドロキシスチレンを製造する方法およびこの部分保護ポリヒドロキシスチレンをさらにビニルエーテルと反応させてヒドロキシル基の一部をアセタール基に変換した部分保護ポリヒドロキシスチレンを製造する方法。

請求項（抜粋）：

下記式(1)【化1】ここで、R1は水素原子またはメチル基でありそしてR2、R3およびR4は同一もしくは異なり炭素数1〜4の直鎖状または分岐状のアルキル基である、で表される繰返し単位を含有するポリマーを脱保護反応に付して保護されたヒドロキシル基(-OCR2R3R4)の80〜95モル%をヒドロキシル基に変換せしめることを特徴とする部分保護ポリヒドロキシスチレンの製造法。

IPC (4件)：

C08F 8/12 ,  C08F 12/22 ,  C08F212/14 ,  G03F 7/039 601

FI (4件)：

C08F 8/12 ,  C08F 12/22 ,  C08F212/14 ,  G03F 7/039 601

Fターム (34件)：

2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BF15 ,  2H025BG00 ,  2H025CB17 ,  2H025CB45 ,  4J100AB07P ,  4J100AB07Q ,  4J100AB07R ,  4J100BA02R ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04P ,  4J100BA04R ,  4J100BA05R ,  4J100BA06R ,  4J100BC04H ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA31 ,  4J100HA08 ,  4J100HA19 ,  4J100HA61 ,  4J100HB25 ,  4J100HB52 ,  4J100HC13 ,  4J100HC28 ,  4J100HC71 ,  4J100JA37

引用特許：

審査官引用 (3件)

• レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-049097   出願人：和光純薬工業株式会社, 松下電器産業株式会社
• 化学増幅ポジ型レジスト材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-337899   出願人：信越化学工業株式会社
• ポジ型フォトレジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-250530   出願人：住友化学工業株式会社