特許

J-GLOBAL ID：200903000033464008

半導体光検出器

発明者： 重川 直輝 ,  榎木 孝知
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-252462
公開番号（公開出願番号）：特開平8-116083
出願日： 1994年10月18日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【目的】 半絶縁性基板上に、バッファ層と受光層とバリア層とがそれらの順に積層されている積層体が形成され、その積層体上に、アノード電極及びカソード電極が配されている半導体光検出器において、アノード電極から受光層に注入せんとする正孔にもとずく暗電流が、アノード電極及びカソード電極を通って不必要に流れないようにする。【構成】 バリア層が、受光層の伝導帯最下端よりも高い伝導帯最下端と受光層の価電子帯最上端よりも高い価電子帯最上端とを有する第1の層と、その第1の層上に形成され且つ受光層の価電子帯最上端よりも高い伝導帯最下端と受光層の価電子帯最上端よりも低い価電子帯最上端とを有する第2の層とを有し、第1及び第2の層にカソード電極及びアノード電極がそれぞれ付されている。

請求項（抜粋）：

半絶縁性半導体基板と、その半絶縁性半導体基板上に形成されている半導体バッファ層と半導体受光層と半導体バリア層とがそれらの順に積層されている半導体積層体と、その半導体積層体上に局部的に配されている金属アノード電極及び金属カソード電極とを有する半導体光検出器において、上記半導体積層体を構成している上記半導体バリア層が、上記半導体受光層の伝導帯最下端よりも高い伝導帯最下端と上記半導体受光層の価電子帯最上端よりも高い価電子帯最上端とを有する第1の半導体層と、その第1の半導体層上に形成され且つ上記半導体受光層の価電子帯最上端よりも高い伝導帯最下端と上記半導体受光層の価電子帯最上端よりも低い価電子帯最上端とを有する第2の半導体層とを有し、上記金属アノード電極が、上記半導体積層体を構成している上記半導体バリア層の上記第2の半導体層にそれと接触して付され、上記金属カソード電極が、上記半導体積層体を構成している上記半導体バリア層の上記第1の半導体層にそれと接触して付されていることを特徴とする半導体光検出器。