半導体装置の裏面電極とその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-324547
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162139
出願日： 1995年12月13日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】従来の半導体装置に形成された裏面電極は、装置の信頼度試験のうち高温放置試験(150°C,1000時間)を施すと、電極を構成する導電膜、例えばNi薄膜からアノード層の比較的浅い領域中に鉄(Fe)の汚染が生じ、素子のオン電圧(VCE(SAT) ) が変動し、半導体装置の信頼度に問題があった。【解決手段】本発明は、半導体素子を有する半導体基板の裏面上に第1層のバナジウム薄膜を形成し、300°C以上のガス雰囲気で3分以上の熱処理を施し、前記半導体基板の裏面と前記バナジウム薄膜との間に形成され、該半導体基板への鉄成分の拡散を阻止し、オン電圧の変動を抑制するシンター層を有する半導体装置の裏面電極とその製造方法である。

請求項（抜粋）：

半導体素子を有するシリコン半導体基板の裏面上に金属膜を形成する工程と、前記シリコン半導体基板と前記金属膜との間にシンター層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体基板の裏面電極の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 , H01L 21/28 301 , H01L 29/43

FI (3件)：

H01L 21/28 A , H01L 21/28 301 R , H01L 29/46 R

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭60-206133
特開昭48-005348
特開昭56-142633

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