特許
J-GLOBAL ID：200903000041233236
シリコン単結晶の引上げ装置および製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-122802
公開番号（公開出願番号）：特開平7-330484
出願日： 1994年06月03日
公開日（公表日）： 1995年12月19日
要約：
【要約】【目的】 坩堝中の融液からシリコン多結晶を引上げる装置であって、炉内部材と融液表面との相対位置を測定して、その位置を制御しながらシリコン単結晶を引上げる装置と製造方法の提供。【構成】 シリコン単結晶の引上げ装置において、坩堝中の融液からシリコン単結晶を引上げる装置であって、断熱性円筒に設置した融液位置測定装置を用いて断熱性円筒下端とシリコン融液面との距離を接触法で測定することを特徴とするシリコン単結晶の製造装置である。また、このシリコン単結晶製造装置を用いて、断熱性円筒下端とシリコン融液面との距離を制御することによりシリコン単結晶育成時において、シリコン単結晶の有転位化の防止、結晶中の酸素・炭素の制御ならびにOSFなどの結晶欠陥を低減することを特徴とする単結晶製造方法である。
請求項（抜粋）：
坩堝中の融液からシリコン単結晶を引上げる装置であって、炉内部材と融液表面との相対位置を、炉内部材に設置された融液位置測定装置を融液に接触することにより測定し、その相対位置を制御しながらシリコン単結晶を引上げる装置。
IPC (3件)：
C30B 15/22
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
