特許

J-GLOBAL ID：200903000045117680

半導体集積回路装置の製造方法および製造装置

発明者： 佐藤 久子 ,  増田 弘生 ,  夏秋 信義 ,  常野 克己 ,  青山 仁子 ,  中村 高秀 ,  鈴木 匡 ,  国友 久彰
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-214563
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063980
出願日： 1995年08月23日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【目的】 イオン打ち込み時の結晶欠陥による不純物の増速拡散を抑えて浅い拡散層を形成する。【構成】 本発明のアニール装置1は、ステージ4に設置した冷却機構8とパイロメータ9とによって、ステージ4の上面に搭載された半導体ウエハ3を所望の温度に冷却できるようにしたものである。これにより、半導体ウエハ3の表面をハロゲンランプ6で加熱する際、ステージ4に接触している半導体ウエハ3の裏面側が冷却されるので、半導体ウエハ3の内部を高温にすることなく、表面の浅い領域のみを高温にすることが可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に不純物をイオン注入した後、前記半導体基板をアニールすることによって拡散層を形成する工程を含む半導体集積回路装置の製造方法であって、前記半導体基板をアニールする際、前記半導体基板の裏面を冷却することによって、前記半導体基板の表面側と裏面側とに温度差を設けることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/268

FI (3件)：

H01L 21/265 A ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 21/26 L