特許

J-GLOBAL ID：200903000046820652

銅相互接続構造の形成方法

発明者： 光嶋 猛
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-401793
公開番号（公開出願番号）：特開2002-203899
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：

【要約】【課題】 銅相互接続構造の銅表面に対するSiCまたは水素化SiCからなる無機バリア膜の接着性および無機バリア膜に対するSiO2,フッ化SiO2,またはSiOCからなる絶縁膜の接着性を改良する。【解決手段】 銅相互接続構造の銅の層5上に無機バリア膜11を形成する前に、相互接続半導体構造内の銅の層5を還元プラズマと炭素含有のプラズマに暴露する工程と無機バリア膜11を酸素含有プラズマに暴露する工程を含むことにより、絶縁膜の接着性を改良する。

請求項（抜粋）：

銅の層を有する銅相互接続構造を還元プラズマに暴露する工程と、前記還元プラズマに暴露された前記銅相互接続構造を炭素含有プラズマに暴露する工程と、前記還元プラズマと前記炭素含有プラズマとに暴露された前記銅相互接続構造上に無機バリア膜を形成する工程とを含む銅相互接続構造の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 21/28 A ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/88 M

Fターム (50件)：

4M104BB04 ,  4M104DD22 ,  4M104DD75 ,  4M104DD86 ,  4M104EE08 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104GG13 ,  4M104GG19 ,  4M104HH09 ,  4M104HH15 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR02 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033RR12 ,  5F033SS11 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033VV00 ,  5F033VV10 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F033WW06 ,  5F033WW07 ,  5F033XX09 ,  5F033XX14 ,  5F045AA08 ,  5F045AB01 ,  5F045AB06 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045BB17 ,  5F045CB05 ,  5F045GH06 ,  5F045HA01 ,  5F045HA21