特許

J-GLOBAL ID：200903000046979635

直流スパッタリング可能でかつ異常放電の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット

発明者： 小田 淳一 ,  姜 仁鎬 ,  森 暁
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-134382
公開番号（公開出願番号）：特開2001-316804
出願日： 2000年05月08日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：

【要約】【課題】直流スパッタリング可能な硫化亜鉛-ケイ素とチタンの複合酸化物-酸化インジウム系焼結体からなる光記録保護膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】ケイ素とチタンの複合酸化物:10〜30モル%、酸化インジウム:0.5〜30モル%を含有し、残部が硫化亜鉛からなる組成を有することを特徴とする直流スパッタリング可能でかつ異常放電の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット。

請求項（抜粋）：

ケイ素とチタンの複合酸化物:10〜30モル%、酸化インジウム:0.5〜30モル%を含有し、残部が硫化亜鉛からなる組成を有することを特徴とする直流スパッタリング可能でかつ異常放電の少ない光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/547 ,  C23C 14/06 ,  G11B 7/26 531

FI (4件)：

C23C 14/34 A ,  C23C 14/06 D ,  G11B 7/26 531 ,  C04B 35/00 T

Fターム (18件)：

4G030AA16 ,  4G030AA34 ,  4G030AA37 ,  4G030AA56 ,  4G030BA01 ,  4K029BA45 ,  4K029BA46 ,  4K029BA48 ,  4K029BA50 ,  4K029BA51 ,  4K029BD12 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  5D121AA04 ,  5D121EE03 ,  5D121EE11 ,  5D121EE14